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还在为电源系统的效率瓶颈寻找突破方案吗？STF33N60DM6正是您期待的答案。这颗基于先进MDmesh M6技术的600V N沟道MOSFET，拥有低至128毫欧的导通电阻和仅35nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和更低的发热量。

它能让您在高频开关应用中游刃有余，无论是功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机驱动，都能确保系统运行稳定高效。其高达25A的连续漏极电流和35W的功率耗散能力，为您提供了充足的性能余量，让复杂的高功率设计变得简单可靠。选择STF33N60DM6，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STF33N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:128毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF33N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。