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您正在设计需要处理高压大电流的电源或电机驱动方案吗？STF30NM60N就是您理想的功率开关核心。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和25A的强大电流吞吐能力，能轻松应对变频器、开关电源和工业控制中的严峻挑战。

它内置ST先进的MDmesh II技术，将导通电阻显著降低，这意味着更少的能量损耗和更高的整体能效。同时，优化的栅极电荷让开关动作快速而干净，有助于简化您的驱动电路设计。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热性能，让您的系统即使在高温环境下也能稳定运行，大幅提升产品的可靠性和使用寿命。

• 型号:STF30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF30NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。