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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STF2N62K3正是为您破解这一难题的利器。这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和2.2A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高能效与更小发热。

它专为要求苛刻的开关电源（SMPS）、照明驱动及功率转换应用而生。优异的电气参数，如高达150°C的工作结温和20W的功率耗散，确保了系统在长期运行中的卓越可靠性与稳定性。选择STF2N62K3，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且耐用的“心脏”，助您轻松打造出更具市场竞争力的终端设备。

• 型号:STF2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF2N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。