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还在为电源系统的效率瓶颈而烦恼吗？STF28NM60ND就是您突破限制的利器。这颗来自ST意法半导体FDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和23A的电流处理能力，其核心使命就是让您的功率转换过程更高效、更凉爽。极低的150毫欧导通电阻，能大幅削减导通损耗，直接提升系统能效，让每一瓦电力都物尽其用。

同时，它卓越的动态性能包括极低的栅极电荷和输入电容让开关动作干净利落，有效降低开关损耗，使您能够轻松应对高频开关应用。无论是驱动电机还是构建紧凑型电源，STF28NM60ND都能提供稳定可靠的功率开关解决方案，助您打造出性能更强、体积更小、散热更优的下一代产品。

• 型号:STF28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF28NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。