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还在为功率器件的效率与散热头疼吗？让STF28N65M2来改变这一切！这颗基于意法半导体先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，是您攻克高电压、大电流应用难题的得力助手。

它拥有650V的漏源电压和20A的连续电流处理能力，而其最大仅180毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，直接提升您的系统整体能效。这意味着您的电源、电机驱动或照明系统可以运行得更凉爽、更持久。同时，优化的动态参数让驱动设计更简单，助您轻松实现高效稳定的功率转换。

选择STF28N65M2，就是选择了一个可靠、高效的动力核心。它能帮助您简化设计、提升产品性能，并最终赢得市场先机。

• 型号:STF28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF28N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。