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您正在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流，并保持超低损耗的功率开关吗？STF28N60M2正是为您而设计的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达24A的电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动器或光伏逆变器时信心十足。

它的卓越之处在于，能在10V驱动下实现仅150毫欧的超低导通电阻，显著减少导通损耗，让系统运行更高效、发热更少。同时，优化的栅极电荷和电容特性让开关速度更快，轻松应对高频应用，进一步提升整体能效。采用可靠的TO-220FP封装，散热性能优异，确保在-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作，是您构建高性能、高可靠性电力电子系统的理想选择。

• 型号:STF28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF28N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。