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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？STF26N60M2就是您期待的解决方案。这颗基于先进MDmesh技术的N沟道功率MOSFET，拥有600V的坚固耐压和20A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的设计更高效、更可靠。它能够显著降低开关过程中的能量损耗，帮助您轻松提升电源或电机驱动系统的整体能效。

得益于仅165毫欧的低导通电阻，STF26N60M2能在导通状态下将损耗降至极低，直接为您节省能源成本并简化散热设计。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和稳健的TO-220FP封装，确保了它在工业级应用中的长期稳定运行。选择它，意味着您为产品注入了意法半导体的卓越品质，让您能够从容应对高压、高功率的挑战，专注于实现更具创新性的终端应用。

• 型号:STF26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。