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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF25NM50N正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和22A的强大电流吞吐能力，让您在设计工业电源、电机驱动或UPS系统时信心十足。

它的核心魅力在于极低的导通损耗和优异的动态性能。在10V驱动下，其导通电阻表现卓越，能显著减少功率损耗和发热，直接提升您的整机效率。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，运行更稳定。选择它，就是为您的产品选择了高效与可靠的双重保障。

• 型号:STF25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF25NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。