我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF25N60M2-EP现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，又能保持冷静高效的功率开关吗？STF25N60M2-EP正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和18A的强大电流处理能力，而其核心魅力在于低至188毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、能效比更高。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得轻松。优化的开关特性（如仅29nC的栅极电荷）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您简化电路设计，提升系统响应。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围和稳健的TO-220FP封装，确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，是您打造高效、耐用电力电子产品的得力伙伴。

• 型号:STF25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF25N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。