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还在为高压应用中的开关损耗和热管理头疼吗？让STF21N90K5来为您分忧！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的耐压和18.5A的电流处理能力，能轻松应对严苛的功率开关任务。

它的核心价值在于极致的效率提升。其导通电阻低至299毫欧，配合优化的栅极电荷，能显著降低导通和开关损耗。这意味着您的电源或电机驱动系统能运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升产品能效等级，并简化散热设计。无论是工业电源、照明驱动还是新能源设备，它都能让您的设计更稳健、更具竞争力。

• 型号:STF21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF21N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。