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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STF20N60M2-EP正是为您排忧解难的得力助手。这颗采用意法半导体先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和13A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻和优异的开关性能。

这意味着在您的电源、电机驱动或照明系统中，它能显著降低导通损耗，提升整体能效，同时快速的开关速度让您轻松实现高效、精准的功率控制。高达150°C的工作结温和TO-220FP封装，确保了它在严苛环境下的长期稳定运行，让您的设计更可靠，性能更出众。

• 型号:STF20N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。