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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效率的功率开关吗？STF19NM65N正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有高达650V的击穿电压和15.5A的电流处理能力，其核心的MDmesh II技术能为您带来极低的导通电阻（仅270毫欧），这意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接助力您的电源或电机驱动系统实现能效飞跃。

它能让您轻松应对PFC、反激式转换器、电机控制等应用挑战。优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，减少开关损耗，让您的设计整体运行更高效、更可靠。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能出色，安装简便，是提升产品功率密度和长期稳定性的理想选择。

• 型号:STF19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF19NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。