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您是否在寻找一颗能显著提升电源转换效率、同时保持系统稳定可靠的“心脏”级功率开关？STF18NM60ND正是为此而生。这颗600V/13A的N沟道MOSFET，采用先进的FDmesh II技术，为您带来低至290毫欧的导通电阻和优化的开关特性，能有效降低导通与开关损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对工业电源、电机驱动、UPS等应用中的高压开关挑战。优异的散热性能和高达150°C的结温，确保了其在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了经市场验证的高性能与高可靠性，助您打造出更具竞争力的电源解决方案。

• 型号:STF18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。