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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STF18NM60N正是为您破解这一难题的利器。这颗600V/13A的N沟道MOSFET，凭借其MDmesh II技术，实现了极低的285毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源设计更高效、发热更少。

它能让您轻松应对开关电源(SMPS)、电机驱动、PFC（功率因数校正）等应用场景。优异的开关特性（低栅极电荷）有助于提升开关频率，从而让您的磁性元件更小巧，系统设计更紧凑。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STF18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。