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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与出色可靠性的功率开关吗？STF18N65M5正是为此而生。这颗采用ST先进MDmesh V技术的650V/15A N沟道MOSFET，旨在让您的电源转换和电机驱动应用效率飞升。

它拥有低至220毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，从而减少发热，提升系统整体能效。其坚固的TO-220FP封装和高达150°C的结温工作能力，确保它在严苛环境下也能稳定运行，让您的设计更紧凑、更可靠。

• 型号:STF18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。