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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时保持卓越可靠性的核心功率开关吗？STF15N65M5正是为您而来。这颗采用ST先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和11A的强劲电流处理能力，其核心使命就是让您的能量转换过程损失更少、发热更低。

它通过仅340毫欧的超低导通电阻和优化的动态特性，能大幅降低开关损耗和传导损耗，直接帮助您提升整机效率，并简化热设计。无论是构建紧凑高效的开关电源，还是驱动要求苛刻的电机，它都能让您轻松应对，确保系统运行更稳定、更持久。选择STF15N65M5，就是为您的产品注入一颗高效而强健的‘芯’脏。

• 型号:STF15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。