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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STF13NM60N-H正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，拥有600V的击穿电压和11A的电流处理能力，让您轻松应对AC-DC电源、电机驱动、PFC电路等应用中的核心开关任务。

这颗芯片能为您做什么？它极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，直接提升系统整体能效，让您的产品更省电。优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI），让设计更简洁，系统运行更稳定可靠。选择它，就是为您的功率设计注入一份高效与宁静的力量。

• 型号:STF13NM60N-H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13NM60N-H，ST（意法半导体）产品一站式供应商。