我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF13N65M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计一款需要兼顾高效率与高可靠性的电源或电机驱动产品吗？STF13N65M2正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh M2系列的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和10A的连续电流能力，其核心价值在于极低的430毫欧导通电阻和优化的17nC栅极电荷。这意味着它能显著降低导通与开关损耗，直接帮助您提升系统能效，让热量更少，运行更凉爽。

无论是面对服务器电源的严苛要求，还是工业驱动的高负荷挑战，STF13N65M2都能轻松胜任。它让您的高压功率转换设计变得更加高效和简洁，TO-220FP封装确保了出色的散热性能。选择它，就是为您的产品赋予了强劲、可靠且节能的“心脏”，助您轻松打造出更具市场竞争力的下一代电力电子设备。

• 型号:STF13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。