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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的P沟道MOSFET吗？STF12PF06正是为您而来。它集成了意法半导体先进的STripFET II技术，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更顺畅、更可靠。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达60V的电压和8A的连续电流，其极低的导通损耗直接提升了系统整体能效。无论是用于高效的DC-DC降压转换，还是作为电机驱动的理想开关，STF12PF06都能凭借出色的热性能（225W最大耗散）和宽广的工作温度范围，确保您的设计在各种条件下稳定输出，助力您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STF12PF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:225W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12PF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。