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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STF12N50M2来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，基于先进的MDmesh II Plus技术，拥有500V高耐压和10A强电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等场景的严苛要求。

它的核心魅力在于极致的能效表现。仅380毫欧的低导通电阻显著降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（15nC）则让开关速度更快、损耗更低。这意味着您的设备不仅能运行得更高效、更凉爽，还能让您有机会采用更紧凑的散热设计，从而优化整体系统成本与体积。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:STF12N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12N50M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。