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还在为功率转换系统的损耗和发热问题头疼吗？让STF120NF10来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您实现高效电能控制的得力助手。它采用STripFET II技术，拥有低至10.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。

这颗芯片能轻松承载高达41A的连续电流，并耐受100V的电压，为您的大功率应用如开关电源、电机驱动等提供坚实的保障。其优化的开关特性让您能设计出更高频率、更小体积的电源方案。选择它，就是选择了一个经久耐用、性能卓越的功率核心，让您的产品设计事半功倍，高效又可靠。

• 型号:STF120NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 41A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF120NF10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。