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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STF110N10F7正是您的答案。这颗基于先进STripFET VII技术的100V N沟道MOSFET，拥有低至7毫欧的导通电阻，能轻松驾驭高达45A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率引擎。优化的栅极电荷和快速的开关特性，帮助您减少开关损耗，提升系统响应速度。无论是用于工业电机控制、DC-DC转换还是电源管理，它都能让您以更低的系统温升和更高的可靠性，轻松应对高功率应用的挑战。

• 型号:STF110N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF110N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。