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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STF10NM60ND正是您期待的答案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和8A的强大电流处理能力，旨在让您轻松征服各种AC-DC转换、电机驱动和照明镇流器应用中的功率挑战。

它的核心魅力在于极低的导通电阻与栅极电荷，这直接转化为更少的导通损耗和更快的开关速度。这意味着，您不仅能大幅提升系统的整体能效，让设备运行得更“冷静”，还能优化驱动电路设计，甚至提高开关频率以实现更紧凑的解决方案。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能与高可靠性。

• 型号:STF10NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。