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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STF10N62K3来为您解决！这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的漏源电压和8.4A的连续漏极电流，为您的高压开关应用注入强劲动力。

它的核心魅力在于极致的效率。750毫欧的超低导通电阻和仅42nC的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。TO-220FP封装确保了出色的散热性能，配合宽广的工作温度范围，让您轻松应对各种严苛环境，打造出高效、可靠且寿命长久的终端产品。

• 型号:STF10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。