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您正在设计一款需要处理高压、大功率的电源或驱动系统吗？STE48NM60正是为应对此类挑战而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和48A的连续电流能力，能轻松担当起系统主功率开关的重任。

基于ST先进的MDmesh技术，它实现了低至110毫欧的导通电阻，配合ISOTOP封装出色的散热性能，能显著降低功率损耗和温升，让您的设备运行更高效、更凉爽。其优化的动态参数（如栅极电荷）有助于提升开关速度，减少开关损耗，从而简化驱动设计，全面提升系统能效与可靠性。

• 型号:STE48NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:134 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE48NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。