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还在为高电压大电流应用的开关损耗和散热问题头疼吗？让STE40NC60来为您解决！这颗来自ST意法半导力的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和高达40A的连续漏极电流，是您构建高效、高功率密度系统的理想选择。

它采用先进的PowerMESH II技术和ISOTOP封装，实现了极低的130毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效，让您的电源、电机驱动或逆变器运行得更凉爽、更持久。同时，优化的栅极电荷特性让开关快速而干净，不仅减少了开关损耗，还简化了您的驱动设计，轻松应对严苛的EMI要求。

选择STE40NC60，就是选择了一颗能让您轻松驾驭高功率、同时兼顾高效率与高可靠性的强大“心脏”，助您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STE40NC60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:430 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
• STE40NC60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。