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还在为高压电源转换中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STE30NK90Z来为您分忧！这颗来自ST SuperMESH家族的N沟道MOSFET，是专为应对严苛应用而生的功率开关利器。

它拥有高达900V的击穿电压和28A的连续电流能力，让您在设计工业电源、电机驱动或光伏逆变器时底气十足。其核心价值在于，通过先进的芯片技术，在高压下依然实现了极低的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统效率。同时，优异的开关特性帮助您优化驱动设计，而坚固的ISOTOP封装确保了出色的热性能，让您的设备运行更稳定、更可靠。

• 型号:STE30NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:490 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE30NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。