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还在为高电流开关应用中的损耗和散热问题头疼吗？让STE250NS10来为您分忧！这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和220A的强大电流处理能力，其核心价值在于能让您的电源转换或电机驱动系统运行得更加“冷静”且高效。

它凭借仅5.5毫欧的超低导通电阻，显著降低导通损耗，直接提升整体能效。同时，其ISOTOP封装和卓越的热性能设计，确保高达500W的功率能够被稳定耗散，让您轻松应对高温环境的挑战，大幅提升系统可靠性。选择它，就是为您的设计选择了一份久经考验的性能保障。

• 型号:STE250NS10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 125A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:900 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE250NS10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。