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您正在设计需要处理大电流、高电压的功率系统吗？面对140A的持续电流和200V的电压等级，普通的开关器件可能已成为系统性能的瓶颈。STE140NF20D正是为您突破这一瓶颈而生。这颗N沟道MOSFET拥有极低的12毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，同时有效控制温升。

基于意法半导体成熟的STripFET II技术，它采用优化的ISOTOP封装，散热能力出众，功率耗散高达500W。这意味着您可以在更紧凑的空间内实现更大的功率输出，轻松应对-55°C至150°C的宽温工作挑战。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高密度电源，STE140NF20D都能为您提供坚实、高效的核心动力，让设计更简单，让性能更卓越。

• 型号:STE140NF20D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 70A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:338 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE140NF20D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。