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还在为高压开关电路的设计而烦恼吗？STDLED623 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能让您轻松驾驭高达620V的电压和3A的电流，其优化的导通电阻和栅极电荷特性，显著降低了开关损耗和驱动需求，从而帮助您构建出更高效、更紧凑的电源系统。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个反应迅速、损耗极低的“电子开关”，特别适合用于LED驱动、电源适配器、离线式变换器等需要高效功率转换的场合。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的长期稳定运行，让您的产品设计既高效又可靠。

• 制造商产品型号：STDLED623
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 3A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
• STDLED623，ST（意法半导体）产品一站式供应商。