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还在为高压应用的效率与散热问题烦恼吗？让STD9N80K5为您带来改变。这颗基于先进MDmesh K5技术的800V N沟道MOSFET，拥有仅900毫欧的低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更高效、更凉爽。

它具备7A的连续电流能力和高达110W的功率耗散，为您提供充沛的动力支持。同时，优化的栅极电荷（12nC）和输入电容特性，让开关过程更快、更干净，轻松提升系统频率和功率密度。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的高可靠性基因，助您轻松应对严苛应用挑战。

• 型号:STD9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。