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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案吗？STD9N65M2正是为您而来！这颗来自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和5A的强劲电流处理能力，专为提升您的电源转换效率而生。

它采用先进的MDmesh技术，巧妙地将低至900毫欧的导通电阻与极低的栅极电荷相结合，能显著降低开关损耗和传导损耗。这意味着，在您的开关电源、LED驱动或电机控制应用中，它可以轻松实现更高的工作频率和更低的温升，让您的系统运行更高效、更凉爽。其DPAK表面贴装封装和宽广的工作温度范围，更能确保在各种应用环境中稳定可靠，大幅提升产品耐用性。

• 型号:STD9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。