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您正在寻找一颗能在大电流应用中同时兼顾高效率与高可靠性的功率开关吗？STD95N2LH5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有80A的连续漏极电流能力和低至4.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、能效更高。

它采用ST先进的STripFET V技术，在5V或10V的低驱动电压下即可实现优异性能，搭配极低的栅极电荷，让您轻松设计高速开关电路，提升系统响应速度。其坚固的DPAK封装和-55°C至175°C的宽工作温度范围，确保了它在各种挑战性环境下的稳定表现，是您打造高效、紧凑、可靠电力电子方案的理想核心。

• 型号:STD95N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD95N2LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。