我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD90NS3LLH7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理大电流的紧凑型电源或电机驱动方案吗？STD90NS3LLH7 N沟道MOSFET正是为您实现这一目标的强大核心。它能在30V电压下轻松驾驭高达80A的连续电流，而其惊人的3.4毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片能为您做什么？它凭借快速的开关特性（低栅极电荷）和集成的体二极管，让您轻松构建出响应迅捷、可靠性强的同步整流、电机控制或负载开关电路。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与空间节省，是提升功率密度的理想选择。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的基因。

• 型号:STD90NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD90NS3LLH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。