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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的开关解决方案吗？STD90NH02LT4正是为您而生的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其24V的耐压和高达60A的连续电流能力，让您轻松驾驭各类电源转换和电机驱动应用中的严苛挑战。

其核心魅力在于STripFET II技术带来的超低导通电阻在10V驱动下仅6毫欧，这意味着更低的传导损耗和发热量，显著提升系统整体效率。同时，优化的栅极电荷让开关速度更快、损耗更小，配合从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，确保您的设备在各种环境下都能稳定高效运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:STD90NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD90NH02LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。