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您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效开关的“核心动力”吗？STD90N03L正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有80A的连续漏极电流能力和低至5.7毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅提升，发热更少。

它采用先进的STripFET III技术，在5V或10V的低驱动电压下即可实现优异的性能，搭配极低的栅极电荷，让开关动作干净利落，系统响应更快。无论是应对-55°C到175°C的宽温范围挑战，还是满足表面贴装的生产需求，它都能让您的设计更稳健、生产更轻松。

• 型号:STD90N03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2805 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD90N03L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。