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您正在设计需要处理高达60A电流的电源或电机驱动方案吗？STD90N02L-1正是为您而来的高效功率开关。它利用先进的STripFET III技术，实现了惊人的6毫欧超低导通电阻（@10V），这意味着在大电流通过时，它能将能量损耗降至极低，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接帮助延长电池续航或降低散热成本。

这颗MOSFET拥有25V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，让您能轻松应对严苛的工业环境与瞬态冲击。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，让您的电路设计在追求高频高效时更加得心应手。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的心脏。

• 型号:STD90N02L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD90N02L-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。