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还在为寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的功率核心而烦恼吗？STD8NM60N-1 N沟道功率MOSFET就是您理想的解决方案。它基于ST先进的MDmesh II技术，为您带来高达600V的击穿电压和7A的电流处理能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，轻松应对高压挑战，实现更高效的能量转换。

这颗芯片能为您做什么？它通过极低的导通电阻（典型值650mΩ）和优化的动态特性，显著降低开关过程中的功率损耗，这意味着更少的发热和更高的系统效率。其坚固的IPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的设备即使在苛刻环境下也能稳定可靠地运行。选择STD8NM60N-1，就是选择为您的产品注入一份经久耐用的高性能保障。

• 型号:STD8NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD8NM60N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。