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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又能将能量损耗降到最低的功率开关吗？STD85N3LH5正是您的答案。这颗30V/80A的N沟道MOSFET，凭借其STripFET V技术的加持，能为您提供低至5毫欧的超低导通电阻，让大电流通过时的压降和发热显著减少，从而轻松提升整个电源或驱动系统的效率。

它能让您的设计更高效、更紧凑。极低的栅极电荷和优化的开关特性，意味着您可以实现更快的开关频率，减少开关损耗，这对于追求高频高效的现代开关电源和电机驱动至关重要。其坚固的DPAK封装和出色的热性能，确保它在高功率应用中稳定可靠，助您从容应对各种挑战。

• 型号:STD85N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD85N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。