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STD85N10F7AG 零件图片(仅供参考)

STD85N10F7AG
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STD85N10F7AG 规格参数

想象一下,一颗芯片就能让您的大电流开关应用变得既高效又冷静。STD85N10F7AG正是为此而生。它是一款100V/70A的N沟道汽车级MOSFET,其核心魅力在于仅10毫欧的超低导通电阻,能显著减少导通状态下的功率损耗,直接提升您的系统效率,并减轻散热设计的压力。

得益于STripFET技术,它在提供强大电流处理能力的同时,也优化了开关特性。高达85W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温,确保它在严苛环境中也能稳定运行。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关,它都能让您的设计更紧凑、更可靠、性能更出众。

  • 型号:STD85N10F7AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3100 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):85W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD85N10F7AG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD85N10F7AG 基本参数:

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