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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STD80N6F7正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集60V耐压与40A大电流于一身，其核心价值在于极低的8毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它采用先进的STripFET F7技术，拥有极低的栅极电荷和输入电容，让您轻松实现高速开关，大幅降低开关损耗，特别适用于高频DC-DC转换等对效率要求苛刻的应用。DPAK封装兼具功率处理能力与安装便利性，配合宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保您的产品在各种严苛环境下都稳定可靠。选择它，就是为您的系统选择了高效、可靠与持久的动力核心。

• 型号:STD80N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD80N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。