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当您的设计需要一颗能够扛起大电流、低损耗重任的开关时，STD80N6F6就是您值得信赖的伙伴。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达80A的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动下仅6.5毫欧，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET VI技术，开关性能优异，栅极电荷（Qg）低至122nC，有助于提升开关频率、降低驱动损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和符合汽车级AEC-Q101标准的设计，赋予了它应对严苛环境挑战的底气，无论是 automotive 还是工业应用，都能让您对系统的可靠性充满信心。

• 型号:STD80N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD80N6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。