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您正在寻找一颗能轻松驾驭800V高压，同时保持高效、低温运行的功率开关芯片吗？STD7NM80正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有6.5A的连续电流处理能力，并采用先进的MDmesh技术，将导通电阻有效降低，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案效率大幅提升。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。极低的栅极电荷让开关速度更快，损耗更小；坚固的DPAK表面贴装封装确保了出色的散热性能和可靠性。无论是面对严苛的工业环境还是追求紧凑的家电设计，它都能让您轻松实现高性能、高可靠性的电力转换，助您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STD7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。