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您正在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关芯片吗？STD7NM60N正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和5A的连续电流处理能力，基于ST引以为傲的MDmesh II技术，它能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关。低至900毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷（14nC @10V），意味着它能帮助您轻松提升系统能效，减少热量积累。同时，其坚固的DPAK封装和高达150°C的工作结温，确保了在 demanding 应用环境下的长期稳定。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的心脏。

• 型号:STD7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。