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还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STD65N55LF3正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值仅8.5毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，具备低栅极电荷和优异的开关特性，让您轻松实现快速、高效的功率切换，同时有助于简化驱动电路设计。DPAK表面贴装封装结合宽达-55°C至175°C的工作结温，确保了出色的功率耗散能力和在苛刻环境下的可靠性与长寿命。选择它，就是为您的产品选择了一份强大的性能保障与能效优势。

• 型号:STD65N55LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD65N55LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。