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您正在寻找一颗能显著提升开关电源效率、让电机驱动更强劲稳定的核心功率器件吗？STD5NK50Z-1正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达500V的漏源击穿电压和4.4A的连续漏极电流能力，能轻松应对高压、高电流的严苛工作环境。

它的卓越之处在于极低的导通电阻（最大1.5欧姆）和优化的动态参数，这意味着它能大幅降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。无论是用于AC-DC转换、PFC电路还是电机控制，STD5NK50Z-1都能提供稳定可靠的性能，其坚固的IPAK通孔封装确保了出色的功率耗散能力（最大70W）和安装可靠性，让您的设计事半功倍，轻松实现更高的能效目标与更长的产品寿命。

• 型号:STD5NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD5NK50Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。