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还在寻找一颗能兼顾高耐压与低损耗的功率开关吗？STD5N95K3正是为您而生的答案。这颗N沟道MOSFET拥有950V的超高耐压和仅3.5欧姆的低导通电阻，让您在设计高压电源、电机驱动或照明系统时，能显著降低导通损耗，提升整体能效，同时确保系统在恶劣环境下稳定运行。

它基于ST先进的SuperMESH3技术，具备优异的开关性能。极低的栅极电荷和输入电容让驱动变得异常轻松，简化您的电路设计。高达90W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），则赋予了它强大的鲁棒性，让您的产品应对各种挑战都游刃有余。

• 型号:STD5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N95K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。