还在为高压应用中的开关损耗和效率问题烦恼吗?让STD5N80K5来为您分忧!这颗基于MDmesh技术的N沟道MOSFET,拥有800V的强劲耐压和4A的连续电流能力,专为提升您的电源系统效率而生。
它能让您轻松实现更低的导通损耗和更快的开关速度,显著优化系统热管理和整体能效。无论是开关电源、PFC电路还是照明驱动,STD5N80K5都能提供稳定可靠的高压开关解决方案,助您打造出更紧凑、更高效、更具竞争力的产品。
- 型号:STD5N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.75 欧姆 @ 2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):177 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):60W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- STD5N80K5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。