STD5N80K5（ST 意法半导体，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STD5N80K5

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：MDmesh?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 2A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：177pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：DPAK

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基本参数：

电子零件型号：STD5N80K5

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询STD5N80K5的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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