我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD5N62K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、通大电流，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？STD5N62K3正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有620V的耐压和4.2A的连续电流能力，基于意法半导体先进的SuperMESH3技术打造，它能显著降低开关损耗和导通电阻，让您的电源转换效率大幅提升。

它能让您轻松应对反激式开关电源、LED照明驱动、电机控制等应用中的功率切换挑战。其优异的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，而DPAK封装则提供了良好的功率耗散能力。选择它，意味着您为产品选择了经久耐用的可靠性和卓越的能效表现，让设计更简单，让性能更出众。

• 型号:STD5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。