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您是否希望为您的电源转换或电机控制应用找到一颗既能“扛大电流”又能“保持冷静”的功率开关？STD50N03L-1正是为此而生。这颗30V耐压、40A电流能力的N沟道MOSFET，凭借其STripFET III技术的超低导通电阻（仅10.5毫欧），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它能让您轻松驾驭同步整流、DC-DC转换器和各类负载开关等高要求场景。极低的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了快速开关响应和出色的环境适应性。选择它，就是为您的设计选择了经久耐用的高效能核心，轻松提升整体方案的可靠性与能效表现。

• 型号:STD50N03L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 40A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD50N03L-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。